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J-GLOBAL ID：200903025840868840

フォトマスク、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 康弘 ,  塩田 郁雄
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996146589
Publication number (International publication number)：1997304914
Application date： May. 15, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 段差をもつ形状のレジストパターンを形成し、それを利用してゲートの位置に対して非対称なソース、ドレインをもつ半導体装置をセルフアラインで製造する。【解決手段】 基板上に絶縁膜を介してスリットを形成したフローティングゲート用ポリシリコン膜a、その上に絶縁膜を介してコントロールゲート用ポリシリコン膜bを成膜し、その上に断面が椅子形のレジストパターンhを形成する。レジストパターンhの底面の形状でポリシリコン膜b及びaをエッチングする。レジストとポリシリコンパターンをマスクとして、ソースd、ドレインeの注入を行なう。その後、レジストパターンhをエッチバックして膜厚の厚い部分iのみを残し、その残ったレジストパターンiをマスクにして再度ポリシリコンb,aのエッチングを行なう。ゲートの位置に対してセルフアラインで非対称なソースd、ドレインeが形成される。

Claim (excerpt)：

透明ガラス基板上に透過光の位相が前記ガラス基板とは180度異なる透過部分、及びその透過部分と前記ガラス基板領域との間に形成されて透過光が前記ガラス基板領域の透過光又は前記透過部分の透過光と同じ位相となる半透過部分によりパターンが形成されており、透過光の強度分布として最大光量部分と最小光量部分の間に中間の光量部分を与えるように前記パターンの寸法が設定されていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (6)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371