Pat

J-GLOBAL ID：200903025850196131

酸化亜鉛基薄膜材料の製造法

Inventor： 羽田 肇 ,  萩野 剛士 ,  安達 裕 ,  坂口 勲 ,  大橋 直樹
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001228191
Publication number (International publication number)：2003041363
Application date： Jul. 27, 2001
Publication date： Feb. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】 一般的には、高濃度ドープ酸化亜鉛薄膜では、結晶粒子配向性が劣化する。【構成】インジウムをドーパントとして添加した酸化亜鉛薄膜をスパッタ法によって製造する方法において、製造工程中、初期の成膜を行った後、基板温度を保持したままの状態でプラズマを消火する事により成膜を休止し、再度成膜を開始して所望の厚さの薄膜を成膜する。【効果】 成膜途中に休止時間をもうけることにより、薄膜の表面構造の安定化を図り、高い結晶軸配向性を有した高濃度インジウムドープ酸化亜鉛薄膜が得られる。

Claim (excerpt)：

マグネトロンスパッタ法による酸化亜鉛基薄膜材料の製造法であって、アルミナ単結晶基板上に基板温度400°Cから600°Cにて成膜厚さを5〜20nmとする初期成膜(第一段階)を施した後に、基板温度を保持したままの状態でスパッタ装置のプラズマを消火し、5分以上の成膜休止時間をおき、しかる後に亜鉛に対してインジウムを原子比で5%以上添加した酸化物ターゲットを用い、スパッタガスをアルゴンガスとして、200nm以上の膜厚に達するまでの成膜(第二段階)を行う、ことを特徴とする、X線極点図形測定において、六回対称のスポットからなるパターンが認められる高い結晶軸(c軸)配向性を持つた酸化亜鉛基薄膜を得ることを特徴とする酸化亜鉛基薄膜材料の製造法。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503

FI (2)：

C23C 14/34 N ,  H01B 13/00 503 B

F-Term (13)：

4K029AA07 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BB01 ,  4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05