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J-GLOBAL ID：200903025853791782

薄膜の形成方法及び基体の表面処理方法

Inventor： 繁田 光浩
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000234369
Publication number (International publication number)：2002045779
Application date： Aug. 02, 2000
Publication date： Feb. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 薄膜形成及び基体の表面処理時のコストを低減することを課題とする。【解決手段】 同種又は異種の微粒子を不活性ガスと共に噴射し基体に衝突させることにより、微粒子同士が基体上で互いに融着した薄膜を形成するか、又は微粒子を埋め込むことを特徴とする薄膜の形成方法により上記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

金属層、絶縁層又は半導体層として使用される薄膜の形成方法であって、同種又は異種の微粒子を不活性ガスと共に噴射し基体に衝突させることにより、微粒子同士が基体上で互いに融着した薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (5)：

B05D 1/02 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/02 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/203

FI (5)：

B05D 1/02 Z ,  B05D 7/00 E ,  B05D 7/02 ,  C23C 14/24 T ,  H01L 21/203 Z

F-Term (19)：

4D075AA01 ,  4D075AA85 ,  4D075AA90 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB31 ,  4D075DC24 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA23 ,  4K029CA01 ,  4K029DA01 ,  4K029DA04 ,  4K029DB15 ,  5F103AA10 ,  5F103DD16 ,  5F103DD28 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03