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J-GLOBAL ID:200903025862298304

光メモリー材料およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡部 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993246146
Publication number (International publication number):1995077772
Application date: Sep. 07, 1993
Publication date: Mar. 20, 1995
Summary:
【要約】【目的】 光応答性が高く、素子化のための加工性、機械的強度、耐環境性や経時安定性に優れ、かつフォトクロミック化合物を安定に保持してその機能を充分に発現するマトリックスを用いた光メモリー材料とその製造方法を提供する。【構成】 本発明の光メモリー材料は、式(1)の化合物と式(2)、(3)または(4)の化合物との加水分解生成物中にフォトクロミック化合物を含有したものからなり、これらの化合物を溶媒中で加水分解してゲル化させることにより製造することができる。R1 SiX1 3 (1)【化1】(各式中、R1 は炭素数の総和が4以下の脂肪族炭化水素基、R2 〜R7 は、有機化合物残基を示し、そのうちR2 、R3 およびR5 は、炭素数の総和が5以上である。また、X1 〜X4 は加水分解性の官能基を示す。)
Claim (excerpt):
3価の原子または炭素原子以外の4価の原子に加水分解性置換基が結合した化合物の加水分解生成物により形成された媒体中に、フォトクロミック化合物を含有した光メモリー材料において、上記加水分解性置換基が結合した化合物が、少なくとも下記式(1)で表されるシラン化合物と、下記式(2)、(3)および(4)で表されるシラン化合物から選択される少なくとも1種とよりなることを特徴とする光メモリー材料。R1 SiX1 3 (1)(式中、R1 は、置換基を有してもよい飽和または不飽和の総炭素数が4以下の脂肪族炭化水素基を示し、X1 は、同一または異なって、加水分解性の官能基を示す。)【化1】(各式中、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 およびR7 は、同一または異なって、飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基、飽和もしくは不飽和の脂環式基、芳香族炭化水素基、アラルキル基または複素環式基を示し、これらの有機化合物残基はいずれも置換基を有していてもよい。また、R2 〜R7 のうち、R2 、R3 およびR5 は、炭素数の総和が5以上であり、R3 とR4 あるいはR5 、R6 およびR7 のうちの2つは、互いに結合して炭素環残基または複素環残基を形成してもよい。X2 、X3 およびX4 は、同一または異なって、加水分解性の官能基を示す。)
IPC (2):
G03C 1/73 503 ,  C08L 83/04 LRR

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