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J-GLOBAL ID：200903025864030708

半導体装置

Inventor： 阿部 雄次 ,  大石 敏之 ,  丸野 茂光 ,  徳田 安紀
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002069876
Publication number (International publication number)：2003273395
Application date： Mar. 14, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 シリコンあるいはシリコン基板上に成膜可能な半導体で作製することができ、室温で効率よく発光あるいは光を変調させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、n型シリコン基板1と、n型シリコン層2と、Beドープシリコンゲルマニウム層3およびi型シリコン層4を積層したシリコン/シリコンゲルマニウム超格子層5と、p型シリコン層6と、p側電極7と、n側電極8とを備える。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成され、シリコン層と、シリコンゲルマニウム層とを含み、アイソエレクトロニックトラップを形成する不純物を含む超格子層と、前記超格子層上に形成された第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層側の第1電極と、前記第2半導体層側の第2電極と、を備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/34

FI (3)：

H01L 33/00 A ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/34

F-Term (18)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA50 ,  5F041CA53 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F073AA74 ,  5F073CA24 ,  5F073CB04 ,  5F073CB18 ,  5F073DA06