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J-GLOBAL ID：200903025898997624

半導体受光装置の製造方法

Inventor： 松田 広志 ,  伊藤 和弘 ,  金子 忠男 ,  永野 祐二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992054759
Publication number (International publication number)：1993259499
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【構成】SiNx膜8を形成し、改質アニールを行った後に開口部を設けてZn拡散を行い、主接合10を形成する。その後、PSG/SiO2 膜11を間に挾んで反射防止膜のSiNx膜12を形成する。【効果】下地のSiNx膜8の改質アニールは、Zn拡散時間とは独立に十分に行なわれるため、暗電流は小さくなる。しかも、反射防止膜のSiNx膜12に対する改質アニールが不要となるため、接合の移動等の不都合を生じない。

Claim (excerpt)：

第1の導電型を有する第1の半導体の主表面に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜に熱処理を施す工程と、前記第1の絶縁膜上に少なくとも最下層にSi酸化膜を含む1層以上の第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第1および前記第2の絶縁膜の一部を選択的に除去して開口部を設ける工程と、前記開口部から第2導電型の不純物を導入し、前記第1の半導体の一部を選択的に第2導電型に変換する事によってpn接合を形成する工程とを記載順に含み、少なくとも前記pn接合が半導体表面に露出する部分に、少なくとも前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜の最下層のSi酸化膜を最後まで残して、表面保護膜または多層表面保護膜の最下層とする事を特徴とする半導体受光装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/107 ,  H01L 21/318