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J-GLOBAL ID：200903025909579595
密着型エリアセンサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040144
Publication number (International publication number)：1997219823
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 従来は蓄積された光電荷の1/100以下の利用効率でしか読み出すことができず、外部ノイズに弱かった。しかもアモルファスシリコンやポリシリコンで作られた薄膜トランジスタで並列-直列変換をして信号を転送しているため、読み出し速度が遅く、光センサの暗電流が信号に化けてしまう恐れがあった。【解決手段】 信号配線上に出力された光電荷を全て吸い取ることができる受光電圧発生回路4を発明したことにより、光電荷を効率よく信号電圧に変換できるため、外部ノイズに強くなった。また、複数の受光電圧発生回路4と結晶シリコンで作った高速の並列-直列変換回路用のマルチプレクサ5を付加することで、アモルファスシリコンやポリシリコンで作られた2次元イメージセンサの長所である大画面がつくれることと、結晶シリコンの長所である高速性とを合わせ持った低ノイズで安価な2次元イメージセンサを作ることが可能となった。
Claim (excerpt)：
X方向とY方向の2次元マトリクス状に配置され、かつ、受光量に応じた電荷を発生する複数の受光素子と、前記各受光素子に発生した電荷の放出を制御する放出制御スイッチング素子と、前記X方向に配列された前記各放出制御スイッチング素子の電荷放出用端子を共通接続し、前記電荷の転送経路を形成する複数の信号配線と、前記Y方向に配列された前記各放出制御スイッチング素子の制御用端子を共通接続し、前記電荷の転送を制御する走査信号の経路を形成する複数の走査配線と、前記複数の走査配線に順次前記走査信号を供給する走査シフトレジスタと、前記それぞれの信号配線に対し接続され、該信号配線上を転送される電荷量に応じた受光電圧を発生し、かつ、該信号配線を基準電位または前記基準電位により定まるバイアス電位に保持する複数の受光電圧発生回路と、各受光電圧発生回路が発生した受光電圧の中から1つを順次選択し、該選択した受光電圧をビデオ信号として転送するマルチプレクサとを具備することを特徴とする密着型エリアセンサ。
IPC (3)：
H04N 5/335
, H01L 27/146
, H04N 1/028
H04N 5/335 E
, H04N 1/028 Z
, H04N 1/028 A
, H01L 27/14 A
