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J-GLOBAL ID：200903025919588231

レジストパターンの形成方法

Inventor： 白井 正充 ,  角岡 正弘 ,  西島 寛治
Applicant, Patent owner： 日本ペイント株式会社
Agent (1)： 伊藤 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993159902
Publication number (International publication number)：1994332196
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【構成】 バインダー樹脂中に活性光線の照射により酸を発生し得る化合物とシリルオキシ化合物とを含む感光性樹脂組成物を基板上に被覆してなるレジストに、パターンマスクを通じ活性光線を照射し照射域に於て発生せる酸によりシリルオキシ化合物を分解してシラノール化合物となし、次に該シラノール化合物を除去した後、酸素プラズマにより感光域被膜を取り除くことからなるレジストパターンの形成方法に於て、前記のシラノール化合物の除去が活性光線照射後の被膜に沸点150°C以下の揮発性有機溶剤蒸気を接触せしめることにより実施せられることを特徴とするレジストパターンの形成方法。【効果】 本発明方法により従来の溶剤エッチング法によるよりは、微細で且つ品質に優れた回路板が製造可能である。

Claim (excerpt)：

バインダー樹脂中に活性光線の照射により酸を発生し得る化合物とシリルオキシ化合物とを含む感光性樹脂組成物を基板上に被覆してなるレジストに、パターンマスクを通じ活性光線を照射し照射域に於て発生せる酸によりシリルオキシ化合物を分解してシラノール化合物となし、次に該シラノール化合物を除去した後、酸素プラズマにより感光域被膜を取り除くことからなるレジストパターンの形成方法に於て、前記のシラノール化合物の除去が活性光線照射後の被膜に沸点150°C以下の揮発性有機溶剤蒸気を接触せしめることにより実施せられることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 Y