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J-GLOBAL ID：200903025920649430

半導体加速度センサー

Inventor： 高見 一昭 ,  甲谷 忍 ,  国見 敬 ,  小林 忠
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  曙ブレーキ工業株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993126114
Publication number (International publication number)：1994331652
Application date： May. 27, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 自己診断用キャップにギャップ部を形成する必要がなく、簡易な工程で自己診断用キャップの対向電極をセンサチップから所定距離隔てて配置することができる半導体加速度センサーを得る。【構成】 自己診断用キャップ31を、スペーサ粒子35を含有した導電接着層34よりシリコンセンサチップ21上に接着し、導電接着層34中のスペーサ粒子35の存在により、自己診断用キャップ31の対向電極30がセンサチップ21の上面から所定距離隔てられていることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

センサチップ上に自己診断用キャップが設けられた半導体加速度センサーであって:ダイヤフラム部と、該ダイヤフラム部の変形に応じて抵抗値が変化する抵抗素子部と、検出すべき加速度に応じてダイヤフラム部に変形を与えるマス部と、前記自己診断用キャップに電気的に接続される電極部とを前記センサチップが備え;前記センサチップの上面から所定距離隔てて設けられ、かつ前記センサチップの電極部と電気的に接続され、自己診断のため電位が加えられた際前記マス部を移動させて前記ダイヤフラム部を変形させ前記抵抗素子部の抵抗値に変化を与えるための対向電極を前記自己診断キャップが備え;前記センサチップの電極部と前記自己診断用キャップの対向電極が、スペーサ粒子を含有した導電接着層によって電気的な接続を保った状態で接着され、前記導電接着層中のスペーサ粒子の存在により前記対向電極が前記センサチップの上面から所定距離隔てられていることを特徴とする、半導体加速度センサー。

IPC (2)：

G01P 21/00 ,  G01P 15/12