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J-GLOBAL ID：200903025924018168

半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法

Inventor： 青山 哲男 ,  中野 里愛子 ,  福田 秀樹 ,  後藤 日出人
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994000520
Publication number (International publication number)：1995201794
Application date： Jan. 07, 1994
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】半導体装置製造工程において、フォトレジストによるマスク形成を行った後、ドライエッチングにより配線構造を形成させ、その際に導電層及びフォトレジストの側壁部に生成する保護堆積膜を、第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する水溶液、或いは第四級アンモニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクトン類、ニトリル類、アルコール類、エステル類から選ばれた有機溶媒を含有する水溶液からなる半導体装置洗浄剤を用いて剥離する。【効果】保護堆積膜の剥離が極めて確実に行われることから、導電層表面の汚染が無くなり清浄化されるのでコロージョンが発生しない。

Claim (excerpt)：

一般式[(R1 )3 N-R]+ ・X- (Rは炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のヒドロキシル置換基、R1 は炭素数1〜4のアルキル基、Xは無機酸または有機酸)で表される第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有することを特徴とする半導体装置洗浄剤。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/308