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J-GLOBAL ID：200903025932009429

光半導体装置

Inventor： 賤機 弘憲
Applicant, Patent owner： 東芝ケミカル株式会社
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001082294
Publication number (International publication number)：2002280604
Application date： Mar. 22, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 組立ての最終工程に熱エージングを行うことにより、従来の光半導体装置の構成部材を変えることなく、半田耐熱性、耐半田リフロー性に優れた信頼性の高い光半導体装置を提供する。【解決手段】 3B-5B族等化合物半導体の光半導体素子を樹脂組成物でマウントし、透明封止樹脂でモールドした後、80°C〜200°Cの温度で8〜48時間、エージング工程を通すことを特徴とする光半導体装置である。

Claim (excerpt)：

3B-5B族等化合物半導体の光半導体素子を樹脂組成物でマウントし、透明封止樹脂でモールドした後、80°C〜200°Cの温度で8〜48時間、エージング工程を通すことを特徴とする光半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/02 ,  H01L 21/56

FI (3)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/56 J ,  H01L 31/02 B

F-Term (14)：

5F041AA43 ,  5F041CA73 ,  5F041DA41 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB03 ,  5F061CB13 ,  5F061FA01 ,  5F088AB07 ,  5F088BA10 ,  5F088CB11 ,  5F088JA06