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J-GLOBAL ID：200903025937199820

レジストパターン形成方法

Inventor： 田中 聡 ,  井上 壮一 ,  藤澤 忠仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994218577
Publication number (International publication number)：1996083754
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レジスト膜中における定在波効果を低減し、それによって、レジスト膜厚によらず所望の寸法のパターンが得られるパターン形成方法を提供する。【構成】 基板上に、微細な凹凸をその表面に不規則に有する膜を、露光光に対して吸収性を有する材料で形成する工程、前記微細な凹凸を有する吸収性膜上に感光性組成物を塗布し、樹脂層を形成する工程、前記樹脂層にパターン露光を施す工程、および、前記露光後の樹脂層を、現像液を用いて現像処理する工程を具備するパターン形成方法である。微細な凹凸は、その凸部のピーク間の距離及び深さが、レジスト膜中での露光波長以下であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

基板上に、微細な凹凸をその表面に不規則に有する膜を、露光光に対して吸収性を有する材料で形成する工程、前記微細な凹凸を有する吸収性膜上に感光性組成物を塗布し、樹脂層を形成する工程、前記樹脂層にパターン露光を施す工程、および前記露光後の樹脂層を、現像液を用いて現像処理する工程を具備するパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503

FI (2)：

H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 574