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J-GLOBAL ID：200903025945429362

絶縁膜構造

Inventor： 室山 雅和
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996252540
Publication number (International publication number)：1998098099
Application date： Sep. 25, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 下地無機層と有機層とを積層してなる半導体装置用の低誘電膜は、下地無機層と有機層膜との密着性が悪く熱ストレス等によって剥がれが生じる。【解決手段】 酸化シリコン系の下地無機層とフッ素樹脂系の有機層との間に、、アルコキシル基及びハロゲンの少なくとも一方とフルオロアルキル基とを有する絶縁性材料からなる密着層を設ける。このような絶縁性材料としては、トリフルオロプロピルトリエトキシシランを用いる。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた酸化シリコン系の無機材料からなる下地無機層と、この上面に積層されたフッ素樹脂からなる有機層とからなる絶縁膜構造において、前記下地無機層と前記有機層との間には、アルコキシル基及びハロゲンの少なくとも一方とフルオロアルキル基とを有する絶縁性材料からなる密着層を設けたこと、を特徴とする絶縁膜構造。