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J-GLOBAL ID：200903025948999968

相補型MOSFET及びその製造方法

Inventor： 松橋 秀明
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995132001
Publication number (International publication number)：1996330438
Application date： May. 30, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 NMOSFETの浅接合ソース/ドレインの接合の幅を適切にし、寄生抵抗を低減するとともに、動作速度の高速化を図り得る相補型MOSFET及びその製造方法を提供する。【構成】 相補型MOSFETにおいて、第1サイドウォール45及び第2サイドウォール46が形成されるPチャネルMOSFETと、第2サイドウォール46のみが形成されるNチャネルMOSFETを具備し、PチャネルMOSFETのサイドウォール幅を、前記NチャネルMOSFETのサイドウォール幅よりも第1サイドウォール幅分だけ大きくする。

Claim (excerpt)：

相補型MOSFETにおいて、(a)第1及び第2サイドウォールが形成されるPチャネルMOSFETと、(b)第2サイドウォールのみが形成されるNチャネルMOSFETを具備し、(c)前記PチャネルMOSFETのサイドウォール幅を、前記NチャネルMOSFETのサイドウォール幅よりも第1サイドウォール幅分だけ大きくすることを特徴とする相補型MOSFET。

IPC (4)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G