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J-GLOBAL ID：200903025952007295
ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995119443
Publication number (International publication number)：1996316200
Application date： May. 18, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【構成】 所定の開口径を有するマスク層が形成された被処理基体3を処理容器1内に設置する工程と、複数の互いに異なる処理条件を含む処理条件群から、エッチングの進行に応じて、前記開口径とエッチング深さの組合せにおいてエッチング特性評価項目の評価量を最大もしくは最小とする処理条件を選択する工程と、反応性ガスを導入すると共に、この反応性ガスを活性化して、前記基体表面に溝を形成する工程とを有するドライエッチング方法。【効果】 アスペクト比に応じてプロセスパラメータを変えることにより、アスペクト比によるエッチングレートの減少を最小限に抑えると共に、アスペクト比によるエッチング形状の変化を受けることなく、所望の加工形状を得ることができる。
Claim (excerpt)：
所定の開口径を有するマスク層が形成された被処理基体を処理容器内に設置する工程と、反応性ガスを導入すると共に、この反応性ガスを活性化して、前記基体表面に溝を形成する工程と、複数の互いに異なる処理条件を含む処理条件群から、エッチングの進行に応じて、前記開口径とエッチング深さの組合せでエッチング特性を評価するエッチング特性評価項目により処理条件を選択する工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 A
, H01L 21/302 J
