Pat
J-GLOBAL ID:200903025952501540

有機トランジスタ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002155394
Publication number (International publication number):2003347552
Application date: May. 29, 2002
Publication date: Dec. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 リーク電流が低減され、ON/OFF比に優れた有機トランジスタ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 分子量が2000以下の低分子量成分が0.5質量%以下である有機半導体を用いることを特徴とする有機トランジスタ。
Claim (excerpt):
分子量が2000以下の低分子量成分が0.5質量%以下である有機半導体を用いることを特徴とする有機トランジスタ。
IPC (2):
H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (2):
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
F-Term (32):
5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14

Return to Previous Page