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J-GLOBAL ID：200903025956121696

レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 水野 真一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003049675
Publication number (International publication number)：2004259985
Application date： Feb. 26, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】リソグラフィ工程において寸法精度が向上して微細化が可能であり、また、スループットの向上が可能な製造方法を提供する。【解決手段】凹凸構造のモールドパターンを有するモールド12を、レジスト3を有する基板2に一括して押し付けることでレジストパターンを形成する方法であり、光源31を用いてモールド12の温度を制御して、モールド12の保持寸法などを調整する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

レジストを有する基板を保持する基板保持工程と、 凹凸構造のモールドパターンを有し前記レジストより硬い材料のモールドを保持するモールド保持工程と、 前記基板と前記モールドとを圧着させて前記モールドパターンを前記レジストに転写するモールドパターン転写工程と、 前記圧着した基板とモールドとを引き離して前記レジストに凹凸構造のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、 を具備するレジストパターン形成方法であって、 前記基板保持工程における前記基板の保持寸法と前記モールド保持工程における前記モールドの保持寸法との保持寸法比を調整するために前記基板と前記モールドとの少なくとも一方の温度を制御する保持温度制御工程と を有する レジストパターン形成方法。

IPC (1)：

H01L21/027

FI (1)：

H01L21/30 502D

F-Term (1)：

5F046AA28