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J-GLOBAL ID：200903025972275660

エッチング方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 魚住 宜弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008026201
Publication number (International publication number)：2009185335
Application date： Feb. 06, 2008
Publication date： Aug. 20, 2009
Summary：

【課題】白金族の膜を加工性良く安価にエッチングできるエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】過マンガン酸塩を含む、pHが12.6〜15.8の溶液で、白金族の膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法が提供される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

過マンガン酸塩を含む、pHが12.6〜15.8の溶液で、白金族の膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (6)：

C23F 1/40 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (6)：

C23F1/40 ,  H01L21/306 F ,  H01L21/28 E ,  H01L21/88 C ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651

F-Term (72)：

4K057WA10 ,  4K057WA19 ,  4K057WB01 ,  4K057WE21 ,  4K057WF10 ,  4K057WG06 ,  4K057WG10 ,  4K057WK05 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104DD64 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF21 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ20 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW08 ,  5F033XX34 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043GG02 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ウェハ洗浄方法及びウェハ洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-021400   Applicant：株式会社東芝