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J-GLOBAL ID：200903025984021788

エネルギードナー化合物・エネルギーアクセプター化合物の混合自己組織化単分子膜を基体表面に形成した光エネルギー移動素子

Inventor：
今堀 博

About 今堀 博


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 宮本 晴視
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000120511
Publication number (International publication number)：2001303022
Application date： Apr. 21, 2000
Publication date： Oct. 31, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 エネルギードナー及びアクセプター化合物を、エネルギー移動可能に基体表面に自己組織化単分子膜とした光エネルギー移動素子の提供。【解決手段】 基体表面に形成した金属又は半導体表面に共有又は配位結合により式Aのドナー化合物及び式Bのアクセプター化合物を両化合物間でエネルギー移動可能に単分子膜とした光エネルギー移動素子。E-L-Bin. AEA-L-Bin. B(式中Eは光吸収する有機残基、Aの励起光と重なる吸収波長領域を有する光吸収有機残基、Lは長鎖の(CH2)nを持つ原子団nは例えば、1〜20又は原子団の主鎖がO、S、Nによって分断されている原子団でE,EAとNH-CO、O、CO-Oで結合する、Bin.はA又はBを金属又は半導体表面と共有又は配位結合させる基、
Claim (excerpt)：
基体表面に形成された金属又は半導体表面に共有結合又は配位結合により一般式(A)で表されるエネルギードナー化合物及び一般式(B)で表されるエネルギーアクセプター化合物を両化合物間でエネルギー移動可能に混合自己組織化した単分子膜として形成されていることを特徴とする光エネルギー移動素子。E-L-Bin.・・・一般式(A)(式中、Eは、光吸収する有機残基、Lは長鎖の-(CH2)n-を持つ原子団又は該原子団の主鎖がO、S又はNによって分断されている原子団でEと-NH-CO-、-O-、又は-CO-O-で結合する、及びBin.は化合物(A)を前記金属又は半導体表面との共有結合又は配位結合により結合させる結合基を提供する基である。)EA-L-Bin.・・・一般式(B)(式中EAは、一般式(A)の化合物の励起光と重なる吸収波長領域を有する光吸収する有機残基、L及びBin.は一般式(A)と同じ。)
IPC (2)：
C09K 3/00 ,  C07C323/60
FI (2)：
C09K 3/00 U ,  C07C323/60
F-Term (4)：
4H006AA03 ,  4H006AB90 ,  4H006AB92 ,  4H006TA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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