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J-GLOBAL ID：200903025989184855

低温接合方法

Inventor： 加藤 光雄 ,  児玉 弘則 ,  沢畠 守
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998113029
Publication number (International publication number)：1999307596
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体装置,パワーモジュールなどの実装において、大面積の低温接合法を提供する。【解決手段】接合面積が1mm2 以上の被接合部材の接合面同士を重ね合わせ、大気中または不活性雰囲気下で加熱温度150〜300°Cの範囲に加熱し、被接合部材を周波数40kHz以下の超音波振動または周波数40kHz以下のねじれ振動(円周方向)を印加した後、接合温度150〜400°Cの範囲の加熱と加圧を加え、低温接合する。【効果】半導体装置やパワーモジュールの熱抵抗が小さくなるとともに高密度実装が可能となる。

Claim (excerpt)：

被接合部材の接合面同士を重ね合わせ、大気中または不活性雰囲気下で前記被接合部材に超音波振動を印加した後、加熱及び加圧し、固相接合することを特徴とする低温接合方法。

IPC (4)：

H01L 21/607 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/603 ,  B23K 20/10

FI (4)：

H01L 21/607 B ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/603 B ,  B23K 20/10