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J-GLOBAL ID：200903025989229654

半導体装置の製造方法

Inventor： 土生津 恒 ,  北野 直樹
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993159666
Publication number (International publication number)：1994244182
Application date： Jun. 29, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 Cuを含有したAl合金からなる配線を備えた半導体装置を製造する工程で、露出された配線を洗浄する際に、該配線にピットが発生することを抑制し、十分な水洗を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 Cuを含むAl合金からなる下層配線(Cu-Al合金層5、TiN膜4、Ti膜3)の露出した表面に、疎水性処理を行い、疎水性保護膜9を形成した後、水洗処理を行う。または、下層配線の露出した表面に、酸化膜を形成し、この上に、疎水性保護膜9を形成した後、水洗処理を行う。

Claim (excerpt)：

銅を含むアルミニウム合金からなる配線を備えた半導体装置の製造方法であって、前記配線の少なくとも一部を露出する工程と、前記露出された配線の表面に疎水性処理を行う工程と、前記疎水性処理後、水洗処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。