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J-GLOBAL ID:200903025989753248

金属錯体および素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005374249
Publication number (International publication number):2006219474
Application date: Dec. 27, 2005
Publication date: Aug. 24, 2006
Summary:
【課題】3座配位子と単座配位子を有し、十分な発光性能を示すことのできる金属錯体を提供すること。【解決手段】第4および第5周期の遷移金属並びにW,Os、Ir、Auおよびランタノイドから選ばれる金属と、単座配位子と、1個以上の芳香環を含みかつ当該芳香環構造内に3個の配位原子を含む3座配位子とを有する金属錯体であって、10°C以上で可視域に発光を示す金属錯体。 陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が上記金属錯体を含む発光層であることを特徴とする発光素子。【選択図】なし
Claim (excerpt):
第4および第5周期の遷移金属並びにW,Os、Ir、Auおよびランタノイドから選ばれる金属と、単座配位子と、1個以上の芳香環を含みかつ当該芳香環構造内に3個の配位原子を含む3座配位子とを有する金属錯体であって、10°C以上で可視域に発光を示すことを特徴とする金属錯体。
IPC (9):
C07F 1/12 ,  C07F 5/00 ,  C07F 11/00 ,  C07F 15/00 ,  C09K 11/06 ,  C09D 11/00 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (11):
C07F1/12 ,  C07F5/00 D ,  C07F11/00 B ,  C07F15/00 D ,  C07F15/00 E ,  C09K11/06 660 ,  C09K11/06 680 ,  C09D11/00 ,  H05B33/14 B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250F
F-Term (19):
3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007DB03 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB92 ,  4H048VA32 ,  4H048VA58 ,  4H048VB10 ,  4H048VB20 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  4H050WB11 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  4J039BC59 ,  4J039BE12 ,  4J039EA27
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特許第4788334号
  • 光電変換素子および光電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-044727   Applicant:富士写真フイルム株式会社
Article cited by the Patent:
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