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J-GLOBAL ID：200903025993602955

ポジ型フオトレジスト組成物

Inventor： 上西 一也 ,  河辺 保雅 ,  小久保 忠嘉
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203737
Publication number (International publication number)：1993027430
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 特に半導体デバイスの製造において、(1) 高い解像力を有するポジ型フオトレジスト組成物、(2) フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク寸法を正確に再現するポジ型フオトレジスト組成物、(3) 1μm以下の線幅のパターンにおいて、高いアスペクト比を有する断面形状のレジストパターンを生成し得るポジ型フオトレジスト組成物、(4) パターン断面の側壁が垂直に近い形状のパターンを生成し得るポジ型フオトレジスト組成物、(5) 広い現像ラチチユードを有するポジ型フオトレジスト組成物、(6) 得られるレジスト像が耐熱性に優れるポジ型フオトレジスト組成物、を提供する。【構成】 ポジ型フオトレジスト組成物が、下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/または-4-)スルホニルクロリドを反応させて得られる感光物、及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有する。【化1】

Claim (excerpt)：

下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/または-4-)スルホニルクロリドを反応させて得られる感光物、及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】ここで、R:C1〜C10の置換もしくは非置換アルキレン基、もしくは【化2】R1〜R5:同一もしくは異なっても良く、水素原子、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基、置換もしくは非置換アラルキル基、置換もしくは非置換アルコキシ基、置換もしくは非置換アリールオキシ基、置換もしくは非置換アラルキルオキシ基、置換もしくは非置換アシル基、置換もしくは非置換アシロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、もしくは-N(-R6,-R7(R6,R7:H,C1〜C4のアルキル基)但し、R5は更に-OH基であつても良い。l〜t:0もしくは1〜3の整数但し、1≦(l+m+n+o)≦12。

IPC (2)：

G03F 7/022 ,  H01L 21/027