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J-GLOBAL ID:200903026003554095
高密度プラズマ生成装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
八木田 茂 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993304396
Publication number (International publication number):1995161488
Application date: Dec. 03, 1993
Publication date: Jun. 23, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 広い圧力範囲において高密度でしかも高い均一性のプラズマを生成できるプラズマソースを提供する。【構成】 真空チャンバを画定している誘電体壁の外側に高周波電流を流すことのできる高周波コイルアンテナ2を設け、この高周波コイルアンテナに流れる高周波電流と交わる方向の磁場を発生する永久磁石5を高周波コイルアンテナに沿って設けることから成る。
Claim (excerpt):
真空チャンバのプラズマ生成領域を画定する誘電体部材の外側に高周波電流を流すことのできる少なくとも一つの高周波アンテナを設け、この高周波アンテナに流れる高周波電流とほぼ直交する方向の磁場を発生する少なくとも一つの永久磁石を高周波アンテナに沿って設けたことを特徴とする高密度プラズマ生成装置。
IPC (9):
H05H 1/46
, C23C 14/40
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01J 27/18
, H01J 37/08
, H01J 37/305
, H01J 37/32
, H01L 21/3065
Patent cited by the Patent:
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