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J-GLOBAL ID：200903026016947819

高融点金属スパッタターゲット

Inventor： 高岡 重彦 ,  林 武彦
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018400
Publication number (International publication number)：1994228746
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 品質の良い成膜を得ることができる高融点金属スパッタターゲットとその製造方法を提供し,また,この高融点金属スパッタターゲットの再利用方法を提供すること。【構成】 スパッタターゲット材を銅(Cu)製バッキングプレート1の凹部に,この凹部以外の部分をステンレス製のマスク2,3,4を施して,直接CVD法によって堆積形成する。この高融点金属スパッタターゲットは,使用後,再び同様にして,CVD法によって高融点金属が堆積されて再生される。【効果】 高融点金属W,Moの高純度被膜を比較的容易に得ることができるCVD法によるスパッタターゲットにおいて,基板をCu製のバッキングプレートとし直接CVD成膜することによりロー付け工程をなくすことができる。さらに,CVD法では同種材料上の成膜がより簡単であることから,使用済みのターゲットの消耗部の再成膜による再生処理が可能である。

Claim (excerpt)：

ターゲット材を挿着する凹部を備えたバッキングプレートと,前記凹部に挿入された高融点金属からなるターゲット材とを有する高融点金属スパッタターゲットにおいて,前記ターゲット材は前記凹部に直接堆積されていることを特徴とする高融点金属スパッタターゲット。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-243761
  
• 特開昭63-093859