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J-GLOBAL ID：200903026017739110
半導体レーザ励起固体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川崎 勝弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997273218
Publication number (International publication number)：1999074589
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 Nd3+を活性イオンとする半導体レーザ励起固体レーザの励起エネルギーの利用効率を高めること。【解決手段】 Nd3+活性イオンとする半導体レーザ励起固体レーザにおいて、前記Nd3+の4I9/2準位から4F3/2準位への光学遷移に対応する波長で発振する半導体レーザを励起光源とする。
Claim (excerpt)：
Nd3+を活性イオンとする固体レーザと前記固体レーザを励起する半導体レーザとを備えてなる半導体レーザ励起固体レーザにおいて、前記半導体レーザが発振する前記固体レーザのNd3+の4I9/2準位から4F3/2準位へ光学遷移させる波長で前記固体レーザを励起してなることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
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