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J-GLOBAL ID：200903026026555153

貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ

Inventor： 横川 功 ,  三谷 清
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 早川 政名 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998195955
Publication number (International publication number)：2000030992
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 水素イオン剥離法により得られる貼り合わせウェーハの結合不良を低減し、結合界面での剥離やボイドのない貼り合わせウェーハを、生産性良く、低コストで提供する。【解決手段】 水素イオン剥離法によって貼り合わせウェーハを製造する方法において、双方のウェーハを密着した密着面の炭素濃度を3×1014atoms/cm2以下とする。

Claim (excerpt)：

水素イオン剥離法によって貼り合わせウェーハを製造する方法において、双方のウェーハを密着した密着面の炭素濃度を5×1014atoms/cm2以下とすることを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。