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J-GLOBAL ID：200903026030939535

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor： 内海 健太郎 ,  原 慎一 ,  長崎 裕一 ,  黒澤 聡
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000242781
Publication number (International publication number)：2002053952
Application date： Aug. 04, 2000
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリング成膜に好適で、膨れが無く、高密度なIn-Ge-O系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 実質的にIn、Geおよび酸素からなる、焼結密度90%以上の金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットであり、好ましくは、GeをGe/(In+Ge)の原子比で2.0〜10.0%含有し、このようなターゲットは、例えば、平均粒径1.5μm以下のIn2O3粉末及びGeO2粉末との混合粉末を成形した後、少なくとも800°Cに達した時点から焼結温度での保持時間が終了するまでの間の焼結炉内を実質的に純酸素ガス雰囲気とし、酸素導入時の酸素流量(L/分)と成形体仕込重量(kg)との比(仕込重量/酸素流量)を1.0以下とし、焼結温度を1200〜1400°Cとすることにより得られる。

Claim (excerpt)：

実質的にインジウム、ゲルマニウムおよび酸素からなる、焼結密度90%以上の金属酸化物焼結体を用いるスパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/64

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/64 A ,  C04B 35/64 C

F-Term (10)：

4G030AA34 ,  4G030AA38 ,  4G030BA02 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24