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J-GLOBAL ID：200903026047199870

シリコン基板の切断加工方法

Inventor： 森岡 収
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 金丸 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992103111
Publication number (International publication number)：1993299500
Application date： Apr. 22, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン基板Wを切断するについて、微細な幅の切り代でもって任意な切断線に沿って切断することができ、しかも、コンタミフリーな乾式切断を安定して行えるものとする。【構成】 真空ポンプ(7) に接続された真空容器(1) 内の基板載置台(2) 上にシリコン基板Wを載置し、このシリコン基板Wに、レーザ発信器(9) からのレーザビームBをビーム照射管(3) にて微細ビームにホーカスして照射すると同時に、そのビーム照射部に、ガスボンベ(11)からの塩素ガスGを噴射ノズル(4) にて細く絞って吹きつけ、ビームエネルギーによって、ビーム照射部のシリコン基板材と塩素ガスを活性化してイオンおよびラジカルを生成させると共に、これらの間に化学反応を生じさせ、ビーム照射部のシリコン基板材を蒸気圧の低い反応生成物のガスとして真空容器(1) 内に発散させて、当該シリコン基板Wを切断する。

Claim (excerpt)：

排気手段を備える真空容器内にシリコン基板を配置し、このシリコン基板の切断対象部に細く絞り込んだレーザビームを照射すると同時に、そのビーム照射部にハロゲン化物のガスを吹きつけて切断することを特徴とするシリコン基板の切断加工方法。