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J-GLOBAL ID：200903026050349793

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 鳥居 克裕 ,  芦原 洋司 ,  小西 信博 ,  野口 純司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000058353
Publication number (International publication number)：2001250824
Application date： Mar. 03, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Cu配線の溝パターンへの埋め込み性を向上することによって、配線抵抗のばらつきを低減し、またエレクトロマイグレーション耐性を向上する。【解決手段】 幅、深さがそれぞれ1. 0μm未満であって、かつアスペクト比が1. 0以下の溝パターンに、スパッタリフロー法でCuを埋め込み、幅、深さがそれぞれ0. 5μm以上の溝パターンに、電解めっき法でCuを埋め込むことによって、溝パターンの内部にCu膜が完全に埋め込まれた第1層配線ML1 〜第4層配線ML4 を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上の絶縁層に設けられた溝パターンにCu配線を有する半導体集積回路装置であって、アスペクト比が1. 0以下の溝パターンに、スパッタリフロー法で成膜されたCuが埋め込まれていることを特徴とする半導体集積回路装置。

F-Term (41)：

5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ29 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033WW01