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J-GLOBAL ID：200903026050804040

半導体、太陽電池及びその製造方法

Inventor： 藤森 裕司
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000013103
Publication number (International publication number)：2001203375
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来のチタニア太陽電池は、吸収波長を増感させるために、色素をチタニア電極中に含有させているが、これらの有機色素は、チタニアがいわゆる光触媒であるために、しばらくすると色素がチタニアによって分解されてしまい、太陽電池としての実用的な寿命を有することができなかった。また、ただ単に平板のチタニアを用いたのでは、太陽光の吸収面積が小さいため、実用的な電流や、電圧を確保することができなかった。【解決手段】 二酸化チタン(TiO2)半導体において、該二酸化チタン半導体は、チタン微粉末を焼結して形成したアナターゼ型の酸化物構造を有する二酸化チタン半導体であり、該二酸化チタン半導体は空孔率が5〜90%であることを特徴とする。前記二酸化チタン半導体は0.1〜2.0μmol/gのCrまたはVの不純物を含んでいることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

二酸化チタン(TiO2)半導体において、該二酸化チタン半導体は、チタン(Ti)の微粉末を焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンからなる半導体であり、該二酸化チタン半導体は空孔率が5〜90%であることを特徴とする半導体。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (12)：

5F051AA07 ,  5F051CA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04 ,  5H032HH06