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J-GLOBAL ID：200903026056500299

有機電子デバイス用の絶縁体

Inventor： エルヴァン ギュレ ,  ペーター ボンツァーニ ,  ヴァルター フィックス ,  ヘニング ロスト ,  アンドレアス ウルマン
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (5)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003541075
Publication number (International publication number)：2005507180
Application date： Sep. 05, 2002
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

本発明は、有機電子デバイス用の、特に有機電界効果型トランジスタ(OFET)及び/又は有機キャパシタ用の絶縁体に関する。この絶縁体材料は、例えば1Hz〜100kHzの広い範囲内で周波数が変化する場合でも、ほぼ一定の比誘電率を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁体層の誘電率は1Hz〜100kHzの周波数領域においてほぼ一定である、有機電子デバイス用の、特に有機電界効果型トランジスタ及び/又は少なくとも部分的に有機材料をベースとするキャパシタ用の絶縁体。

IPC (11)：

H01L21/47 ,  C08K5/06 ,  C08L23/00 ,  C08L25/00 ,  C08L27/08 ,  C08L29/04 ,  H01G4/18 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (11)：

H01L21/47 ,  C08K5/06 ,  C08L23/00 ,  C08L25/00 ,  C08L27/08 ,  C08L29/04 B ,  H01G4/18 321 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 ,  H01L27/04 C

F-Term (46)：

4J002BB151 ,  4J002BB181 ,  4J002BC041 ,  4J002BC091 ,  4J002BD101 ,  4J002BE021 ,  4J002BE041 ,  4J002BG061 ,  4J002BG091 ,  4J002ED026 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  5E082AB10 ,  5E082BB10 ,  5E082BC14 ,  5E082DD13 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG34 ,  5E082FG46 ,  5E082FG56 ,  5E082PP03 ,  5E082PP10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ20 ,  5F058AA07 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG10 ,  5F058AH04 ,  5F058AH10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110CC05 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5G305AA07 ,  5G305AB08 ,  5G305CA02 ,  5G305CA03 ,  5G305CA47 ,  5G305CA51