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J-GLOBAL ID:200903026058401670
ダイボンディング用半田合金
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999301860
Publication number (International publication number):2001121285
Application date: Oct. 25, 1999
Publication date: May. 08, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体素子のダイボンディング等に用いるのに好適なPbを含まない半田合金を提供する。【解決手段】 本発明の半田合金は、Snを25〜80重量%含み、残部がZn及び不可避不純物からなる。また、更には、25〜80重量%のSnと、Ge、Ag、Cu、Inの1種以上を合計で0.1〜6重量%含み、残部がZn及び不可避不純物からなる。
Claim (excerpt):
Snを25〜80重量%含み、残部がZn及び不可避不純物からなることを特徴とするダイボンディング用半田合金。
IPC (3):
B23K 35/26 310
, B23K 35/28 310
, H01L 21/52
FI (3):
B23K 35/26 310 A
, B23K 35/28 310 D
, H01L 21/52 E
F-Term (7):
5F047AA11
, 5F047AB10
, 5F047BA06
, 5F047BA19
, 5F047BA52
, 5F047BA53
, 5F047BB05
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