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J-GLOBAL ID：200903026062523578

半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法

Inventor： ウイリアム・ジェイ・コート ,  ジェームス・ガードナー・ライアン ,  奥村 勝弥 ,  矢野 博之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995156111
Publication number (International publication number)：1996172064
Application date： Jun. 22, 1995
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、一台で化学的機械的ポリッシング、湿式化学処理、酸化を含む多数の処理をウェハに施すことのできる処理装置及び処理方法を提供することである。【構成】 回転可能なポリッシングパッド102の中央には陽極酸化流体106が収容された固定台104が設けられている。ウェハは回転可能な加工物ホルダ8に取着され、この加工物ホルダ8は旋回可能な張り出しアーム5に取着されている。したがって、ウェハはポリッシングパッド102と陽極酸化流体106のいずれかに移動され、ポリッシング又は陽極酸化が行われる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハを保持し、この保持した半導体ウェハに回転力が加えられると一緒に回転することが可能なウェハ保持体を一端に有するアームと、前記ウェハ保持体の下方に配置され、上面が複数個の扇形部分に区分され、前記複数個の扇形部分は研磨部分とポリッシング部分とに分けられ、前記研磨部分はポリッシング部分に比べて肌理が比較的粗く、前記ポリッシング部分は研磨部分に比べて肌理が比較的細かくされた回転可能なパッドとを具備し、前記ウェハ保持体とパッドとの一方が垂直に移動可能とされ、前記ウェハがパッドに接触し、前記ウェハが研磨部分とポリッシング部分とに連続的に交互に接触することを特徴とする半導体ウェハ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 351