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J-GLOBAL ID:200903026062661822
太陽電池素子及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 研二 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996299971
Publication number (International publication number):1998144945
Application date: Nov. 12, 1996
Publication date: May. 29, 1998
Summary:
【要約】【課題】 ゲッタリングによりキャリアの移動特性が向上した太陽電池素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10の中央層領域にゲッタリングにより欠陥集中領域12を形成し、シリコン基板10の周囲に補強部18を残すようにしながらシリコン基板10を欠陥集中領域12よりも深くエッチングし、発電領域20を形成する。発電領域20の表面側には反射防止膜22を形成し受光部24とし、裏面側には拡散層14及び電極16を形成する。この場合、欠陥集中領域12は、補強部18のみに存在し、発電領域20に存在しないので、発電領域におけるキャリア移動特性が向上し、太陽電池素子としての性能が向上する。
Claim (excerpt):
受光部の裏面に電極が形成された裏面電極型の結晶シリコン太陽電池素子であって、前記受光部の周囲には補強部が形成され、シリコン基板中に存在していた欠陥が集中された領域が前記補強部のみに存在していることを特徴とする太陽電池素子。
IPC (2):
FI (3):
H01L 31/04 H
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/322 G
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