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J-GLOBAL ID：200903026066115210

光デバイスの製造方法

Inventor： 岡野 誠 ,  山本 宗継 ,  小森 和弘
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007220692
Publication number (International publication number)：2008122926
Application date： Aug. 28, 2007
Publication date： May. 29, 2008
Summary：

【課題】2DPCスラブ構造に代表される薄膜スラブ構造に適した、信頼性の高い電極製造方法を提供する。【解決手段】光デバイスのコア層となるべき部位を有する第1の基板と光デバイスを集積させるための第2の基板を用意し、第2の基板上の一部に第1の電極配線を形成し、第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布し、第1の基板のコア層となるべき部位が形成された側と第2の基板の第1の電極配線が形成された側とを接合し、接合した基板を加熱し、コア層となるべき部位を残して第1の基板を除去し、コア層となるべき部位に所望の加工を施してコア層とし、コア層上に低屈折率絶縁膜を形成し、コア層上の低屈折率絶縁膜上の一部に第2の電極配線を形成する。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

光デバイスのコア層となるべき部位を有する第1の基板と光デバイスを集積させるための第2の基板を用意する工程と、 第2の基板上の一部に第1の電極配線を形成する工程と、 第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する工程と、 第1の基板のコア層となるべき部位が形成された側と第2の基板の第1の電極配線が形成された側とを接合する工程と、 接合した基板を加熱する工程と、 コア層となるべき部位を残して第1の基板を除去する工程と、 コア層となるべき部位に所望の加工を施してコア層とする工程と、 コア層上に低屈折率絶縁膜を形成する工程と、 コア層上の低屈折率絶縁膜上の一部に第2の電極配線を形成する工程 とを含む、光デバイスの製造方法。

IPC (2)：

G02B 6/12 ,  G02B 6/13

FI (3)：

G02B6/12 Z ,  G02B6/12 N ,  G02B6/12 M

F-Term (25)：

2H147AC01 ,  2H147BA01 ,  2H147BA05 ,  2H147BA15 ,  2H147BD03 ,  2H147BF02 ,  2H147BF03 ,  2H147BF13 ,  2H147BF14 ,  2H147DA08 ,  2H147DA10 ,  2H147DA12 ,  2H147EA12A ,  2H147EA12C ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14D ,  2H147EA16B ,  2H147EA25B ,  2H147FA17 ,  2H147FD14 ,  2H147FD15 ,  2H147FF05 ,  2H147GA10 ,  2H147GA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-089207   Applicant：日本碍子株式会社
• 光変調器の製造方法及び光変調器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-081997   Applicant：住友大阪セメント株式会社