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J-GLOBAL ID：200903026070443354

成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Coシリサイド焼結ターゲット材

Inventor： 土方 研一 ,  原田 剛 ,  小岩 正幸
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994216812
Publication number (International publication number)：1996074044
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： Mar. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 成膜中にパ-ティクル発生の少ないスパッタリング用Coシリサイド焼結タ-ゲット材を提供する。【構成】 スパッタリング用Coシリサイド焼結タ-ゲット材が、CoSin(ただし、nはモル比で2.0〜2.5)の組成式を満足し、かつCo-Si2元合金系状態図で示されるCoSi2化合物が反応生成相として存在し、このCoSi2反応生成相中に、同状態図におけるCoSi2-Si共晶の未反応共晶相が分散分布した組織を有する。

Claim (excerpt)：

CoSin(ただし、nはモル比で2.0〜2.5)の組成式を満足し、かつCo-Si2元合金系状態図で示されるCoSi2化合物が反応生成相として存在し、このCoSi2化合物反応生成相中に、同状態図における CoSi2化合物とSiの共晶からなる未反応共晶相が分散分布した組織を有することを特徴とする成膜中にパ-ティクル発生の少ないスパッタリング用Coシリサイド焼結タ-ゲット材。

IPC (6)：

C23C 14/34 ,  C01B 33/06 ,  C04B 35/58 106 ,  C22C 19/07 ,  C22C 1/04 ,  H01L 21/203