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J-GLOBAL ID：200903026071748787
単結晶の製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231920
Publication number (International publication number)：1993070276
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 複数のヒータを用いて単結晶の成長を行なう成長炉内の温度分布を制御する装置において、個々のヒータについて温度制御の精度を上げることにより、転位密度の低い良質の単結晶を製造することができる装置を提供する。【構成】 隣接した複数のヒータ1〜10を有し、VGF法に従って単結晶を製造する装置70において、各ヒータを仕切る中空円板形状の遮蔽板11〜19をさらに設けたことを特徴とする装置。
Claim (excerpt)：
隣接した複数のヒータを有する単結晶の製造装置において、各ヒータを仕切る遮蔽部材をさらに設けたことを特徴とする単結晶の製造装置。
IPC (7)：
C30B 11/00
, C30B 15/14
, C30B 27/02
, C30B 29/40 501
, C30B 29/48
, H01L 21/208
, H01L 21/368
