Pat
J-GLOBAL ID：200903026074600357
半導体磁電変換装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994250785
Publication number (International publication number)：1996114659
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ホール素子が出力するホール電圧が温度により変動する場合に、これを補償して磁束密度を正しく測定することができるホールICを提供する。【構成】 印加された磁界の強さに対応する差動電圧を出力するホール素子1と、ホール素子1の出力電圧を増幅する差動増幅器(2〜6)と、差動増幅器(2〜6)の出力に基づき印加された磁界の強さに対応する電流を出力する増幅器(7〜11)と、ホール素子1が形成された半導体基板上にホール素子1と近接して形成され、増幅器(7〜11)の出力電流を受けて印加された磁界の強さに対応する電圧を発生する抵抗体12とを備えた。
Claim (excerpt)：
印加された磁界の強さに対応する電圧を出力するホール素子と、上記ホール素子の出力電圧を増幅する差動増幅器と、上記差動増幅器の出力に基づき印加された磁界の強さに対応する電流を出力する増幅器と、上記ホール素子が形成された半導体基板上に上記ホール素子と近接して形成され、上記増幅器の出力電流を受けて印加された磁界の強さに対応する電圧を発生する抵抗体とを備えた半導体磁電変換装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
