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J-GLOBAL ID：200903026087418523

半導体装置

Inventor： 桐原 博 ,  野村 好弘 ,  細川 羊一 ,  山本 和徳
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 穂高 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081049
Publication number (International publication number)：1999284114
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 応力緩和能力、耐熱性、耐電食性、耐湿性を有し、PCT(プレッシャークッカーテスト)処理等厳しい条件下での耐湿性試験を行った場合の劣化が小さくなる接着剤をあらかじめ塗布したヒートスプレッダーを用いて構成したCSP(チップサイズパッケージ)型半導体装置を提供する。【解決手段】 接着剤3があらかじめ塗布されたヒートスプレッダー5を用いて半導体チップ2とヒートスプレッダー5とが接着されており、接着剤3が、重量平均分子量が5,000未満のエポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量100重量部、硬化促進剤0.1〜5重量部、並びにグリシジル(メタ)アクリレートに由来する共重合単位2〜6重量%を含むガラス転移温度が-10°C以上でかつ重量平均分子量が600,000以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体100〜300重量部を含有する。

Claim (excerpt)：

放熱性を向上させるためのヒートスプレッダーを有するチップサイズパッケージ型の半導体装置であって、接着剤があらかじめ塗布されたヒートスプレッダーを用いて半導体チップとヒートスプレッダーとが接着されており、接着剤が、(1)重量平均分子量が5,000未満のエポキシ樹脂(1a)及びその硬化剤(1b)の合計量100重量部、(2)硬化促進剤0.1〜5重量部、並びに(3)グリシジル(メタ)アクリレートに由来する共重合単位2〜6重量%を含むガラス転移温度が-10°C以上でかつ重量平均分子量が600,000以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体100〜300重量部を含有するものである半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/40 ,  C09J163/02 ,  H01L 23/373

FI (3)：

H01L 23/40 F ,  C09J163/02 ,  H01L 23/36 M