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J-GLOBAL ID:200903026106729683

透明電極基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 前田 純博
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995013635
Publication number (International publication number):1996201791
Application date: Jan. 31, 1995
Publication date: Aug. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 耐久性に優れ、表示パネル等での表示性能に優れたプラスチックフィルムを基板とした透明電極基板を提供することを目的とする。【構成】 プラスチックフィルムの片面または両面に、ガスバリア層をアンカーコート層を介して積層し、更にその積層体の片面または両面に保護層を積層した積層基板を用い、その最表面の片面または両面に透明導電層を設けた透明電極基板において、該透明導電層は錫をインジウム/錫の重量比で95/5〜85/15含有する非結晶性のインジウム酸化物からなり、膜厚が20から200nmの範囲にある透明導電層であり、該プラスチックフィルムはリターデーション値が20nm以下で遅相軸のばらつきが±15度以内の光学等方性を有し、厚さが70〜200μmのプラスチックフィルムであり、前記積層基板の透明導電層を設ける面の表面粗さが中心線平均粗さRaで40nm以下であることを特徴とする透明電極基板である。
Claim (excerpt):
プラスチックフィルムの片面または両面に、ガスバリア層をアンカーコート層を介して積層し、更にその積層体の片面または両面に保護層を積層した積層基板を用い、その最表面の片面または両面に透明導電層を設けた透明電極基板において、該透明導電層は錫をインジウム/錫の重量比で95/5〜85/15含有する非結晶性のインジウム酸化物からなり、膜厚が20から200nmの範囲にある透明導電層であり、該プラスチックフィルムはリターデーション値が20nm以下で遅相軸のばらつきが±15度以内の光学等方性を有し、厚さが70〜200μmのプラスチックフィルムであり、前記積層基板の透明導電層を設ける面の表面粗さが中心線平均粗さRaで40nm以下であることを特徴とする透明電極基板。
IPC (4):
G02F 1/1333 500 ,  B32B 9/00 ,  B32B 27/06 ,  G02F 1/1343
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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