Pat

J-GLOBAL ID：200903026109262557

半導体レーザ装置

Inventor： 佐川 みすず ,  平本 清久 ,  土屋 朋信 ,  豊中 隆司 ,  篠田 和典
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055420
Publication number (International publication number)：1995263811
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電気的サージに起因する急速劣化の起こらない半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 n-GaAs基板3上にGaAsバッファ層4、GaAs基板に格子整合したn-InGaPクラッド層5、歪量子井戸活性層6、GaAs基板に格子整合したp-InGaPクラッド層7、p-GaAs光導波路層8、GaAsに格子整合したp-InGaPクラッド層9、p-GaAsキャップ層10により形成されるリッジがn-InGaP電流狭窄層11により埋込まれることにより構成され、また、素子ストライプは素子内部の電流注入領域1及び端面近傍部の電流非注入領域2から構成されている。【効果】 本発明により、光通信システムに用いる希土類添加光ファイバ増幅器励起用光源として十万時間以上の長時間にわたって安定に動作する半導体レーザを実現することができる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に少なくとも1層のInGaAs層により構成された光を発生する活性層と光を閉じ込める半導体クラッド層と発生した光からレーザ光を得るための共振器構造と共振器方向に沿ってストライプ状に他の部分よりも実効屈折率の高い領域を有し、レーザ光の波長が0.9μm〜1.1μmの範囲である半導体レーザ装置において、上記実効屈折率の高い領域の端面に隣接する部分に電流を注入しない領域を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-070597   Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
• 歪量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-070599   Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
• 特開平2-065286
  
• 特開昭62-242382
  
• 特開昭60-132381
  
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-130308   Applicant：三洋電機株式会社