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J-GLOBAL ID：200903026117706391

多層配線の形成方法

Inventor： 中谷 紀夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991229106
Publication number (International publication number)：1993066421
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ガラス基板との密着性が良く、低抵抗のメサ型電極配線を多層構造により実現し、メサ型多層電極をゲート電極に用いることにより大画面のアクティブマトリクス型液晶表示装置の高精細化と無欠陥化を達成する。【構成】 透明な絶縁基板1上に第一配線パターン2と第一配線パターン上に第一配線パターンより小さな低抵抗の第二配線パターン6を積層し、メサ状の配線パターン上に絶縁膜を被覆してから別の配線を絶縁膜上に形成する。

Claim (excerpt)：

透光性の絶縁基板上に不透光性の第一導電薄膜を堆積し、所定の形状にパターニングする第一工程、絶縁基板裏面からの露光で第一導電薄膜と反転形状のレジストパターンを形成する第二工程、第二導電薄膜を堆積し、該レジストをマスクにして第一導電薄膜と同形状の第二導電薄膜パターンをリフトオフ形成する第三工程からなることを特徴とした多層配線の形成方法。

IPC (5)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 21/88 G ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 311 A