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J-GLOBAL ID：200903026118970661

二次電子増倍装置

Inventor： 山本 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996071973
Publication number (International publication number)：1997259814
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 広い出力電流範囲にわたって良好なリニアリティを有し、暗電流やノイズが少ない、構造が簡単な二次電子増倍装置を提供することである。【解決手段】 二次電子放出能を有する半導体材料よりなる筒状の二次電子増倍管2を絶縁性の材料からなる支持部材6,7で支持し、支持部材7にコンデンサ44,45および46を固定する。上記二次電子増倍管2の出力端部分より引き出されてなるリード線41,42および43が真空容器内にて上記コンデンサ44,45および46に接続される。

Claim (excerpt)：

二次電子放出能を有する半導体材料よりなる筒状の二次電子増倍管と、この二次電子増倍管を支持する絶縁性の材料からなる支持部材と、この支持部材に固定されてなる複数個のコンデンサと、上記二次電子増倍管の出力端部分より引き出され、上記コンデンサに接続してなるリード線とを真空容器内に収容したことを特徴とする二次電子増倍装置。