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J-GLOBAL ID：200903026132206664

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 谷國 敬理
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002237734
Publication number (International publication number)：2004079761
Application date： Aug. 19, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】銅或いは銅合金からなる配線のキャップ膜として、配線が応力腐食割れを引き起こすことがない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】銅或いは銅合金からなる配線11の上面が絶縁膜によって覆われた配線構造を有する半導体装置において、配線11と絶縁膜の間に、配線11の上面を覆うバリア膜12を介して銅拡散防止用のキャップ膜13を形成した。SiC膜からなるバリア膜12は、SiCN膜からなるキャップ膜13を成膜する成膜用ガスに銅配線11が曝されるのを防止する曝露防止膜である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

銅或いは銅合金からなる配線の上面が絶縁膜によって覆われた配線構造を有する半導体装置において、 前記配線と前記絶縁膜の間に、前記配線の上面を覆うバリア膜を介して銅拡散防止用のキャップ膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/768 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205

FI (3)：

H01L21/90 A ,  H01L21/318 M ,  H01L21/88 M

F-Term (30)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR23 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033TT03 ,  5F033XX18 ,  5F033XX28 ,  5F058BA04 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD10 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02