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J-GLOBAL ID：200903026135051769
ガスデポジション装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992122650
Publication number (International publication number)：1993295525
Application date： Apr. 16, 1992
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：
【要約】[目的] 超微粒子生成室と膜形成室とを結合する搬送管の一部に電磁弁を用いることなく超微粒子生成室から膜形成室への超微粒子の搬送を確実に抑止することができるガスデポジション装置を提供すること。[構成] るつぼ3に対向して搬送管7が配設されている。この開口7aを通って直下方のるつぼ3から蒸発する超微粒子を導入して膜形成室10へと生成室1内に導入された不活性ガスにより搬送するのであるが、今膜形成室10への超微粒子の搬送を停止するときにはソレノイド25を励磁することにより、この駆動ロッド24の先端部に接続されている搬送管7を一点鎖線で示すようにfだけ迅速に移動させる。これによりるつぼ3からはなおも超微粒子のガス流が発生しているが、膜形成室への超微粒子の搬送を確実に防止することができる。
Claim (excerpt)：
蒸発源及びこの上方に位置させて搬送管の開口部を内蔵する超微粒子生成室と、前記搬送管の他開口部に結合されたノズル及びこれに対向して配設される基板を内蔵する膜形成室とから成り、前記蒸発源より蒸発する超微粒子を前記超微粒子生成室内導入されるガスと共に前記搬送管中を搬送し、前記ノズルから噴射する超微粒子の膜を前記基板上に形成するようにしたガスデポジション装置において、前記搬送管の開口部及び前記蒸発源のいずれか一方を、他方に対し遠ざかる方向に相対的に所定距離又は所定距離以上、迅速に移動させることにより、前記ノズルからの超微粒子の噴射を停止させるようにしたことを特徴とするガスデポジション装置。
IPC (2)：
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