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J-GLOBAL ID：200903026138541333

レベルシフト回路

Inventor： 野 田 潤一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996141575
Publication number (International publication number)：1997326686
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 低電圧の外部電源により動作し、パターン面積をとらないレベルシフト回路を提供する。【解決手段】 第1のレベルの電圧振幅の入力信号が選択的に印加される第1のノード10aと第1のレベルの電圧振幅以上の異なる電圧振幅を有する第2又は第3の入力信号が選択的に印加される第2のノード10bと第3のノード10cとを備え、Nチャネルエンハンスメント型トランジスタ2のソースと、そのバックゲートと、Nチャネルディプレッション型トランジスタ4のバックゲートとが接地された単位レベルシフト回路を複数個隣接して設け、かつ各Pチャネルエンハンスメント型トランジスタ3のバックゲートを単一のNウェル領域で形成したものであって、第3のノードから第2又は第3の入力信号が出力される期間はNウェル領域をフローティングとし、それ以外の期間は接地電位とした。

Claim (excerpt)：

第1のレベルの電圧振幅の入力信号が選択的に印加される第1のノードと、その第1のノードにゲートが接続されたPチャネルエンハンスメント型トランジスタと、前記第1のノードにゲートが接続されたNチャネルエンハンスメント型トランジスタと、前記第1のレベルの電圧振幅以上の異なる電圧振幅を有する第2又は第3の入力信号が選択的に印加される第2のノードと、前記第2のノードにソースが接続され、前記Pチャネルエンハンスメント型トランジスタのソースにドレインが接続されたNチャネルディプレッション型トランジスタと、前記Pチャネルエンハンスメント型トランジスタのドレイン、前記Nチャネルエンハンスメント型トランジスタのドレイン、及び前記Nチャネルディプレッション型トランジスタのゲートそれぞれに接続された第3のノードとを備え、前記Nチャネルエンハンスメント型トランジスタのソースと、そのバックゲートと、前記Nチャネルディプレッション型トランジスタのバックゲートとが接地された単位レベルシフト回路を複数個隣接して設け、かつ前記各Pチャネルエンハンスメント型トランジスタのバックゲートを単一のNウェル領域で形成したレベルシフト回路において、前記第3のノードから前記第2又は第3の入力信号の信号が出力される期間は前記Nウェル領域をフローティングとし、それ以外の期間は接地電位としたことを特徴とするレベルシフト回路。

IPC (3)：

H03K 19/0185 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H03K 19/00 101 B ,  H01L 27/04 F