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J-GLOBAL ID：200903026150861424

TiO単結晶薄膜の製造方法

Inventor： 鈴木 拓 ,  左右田 龍太郎
Applicant, Patent owner： 科学技術庁無機材質研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000010119
Publication number (International publication number)：2001199796
Application date： Jan. 14, 2000
Publication date： Jul. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】TiO単結晶薄膜を得る。【解決手段】 MgO単結晶基板上にTiを真空蒸着し、この後基板を加熱することによりMgO基板上に岩塩型の結晶構造を持ち金属的な導電性を有するTiOを単結晶薄膜として製造する。

Claim (excerpt)：

岩塩型結晶構造を持ち、金属的な導電性を有し、MgO単結晶基板上にTiとMgOの界面反応により形成されたTiO単結晶薄膜。

F-Term (5)：

4G077AA03 ,  4G077BB04 ,  4G077ED06 ,  4G077FE19 ,  4G077HA05