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J-GLOBAL ID：200903026182033027
プラズマエッチング装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992186383
Publication number (International publication number)：1994037046
Application date： Jul. 14, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【構成】プラズマエッチング装置において、ガスプラズマ5と相対する固体表面で発生する2次電子の制御機構を、放電部4などのプラズマ発生部とウェハ8を設置する試料台7およびそれらの部分に接する部材の少なくとも一つに設ける。【効果】10mTorr以下の低ガス圧プラズマでの2次電子発生に起因した放電の不安定性が解消する。
Claim (excerpt)：
マイクロ波電力または高周波電力もしくはその両方の手段により発生させたガスプラズマを用いて真空処理室内に設置された試料を処理するプラズマエッチング装置において、プラズマと相対する固体表面で発生する2次電子の制御機構を、プラズマ発生部および試料設置台ならびにそれらの部分に接する部材のうちの少なくとも一つに設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
Cited by examiner (6)
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