Pat

J-GLOBAL ID：200903026189079081

フォトリソグラフィによるパターン形成方法

Inventor： ロイシユナー、ライナー ,  ギユンター、エワルト ,  ハンマーシユミツト、アルベルト ,  フアルク、ゲルトルート
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996523886
Publication number (International publication number)：1998513572
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】200サブnm範囲のパターンをフォトリソグラフィにより形成する方法では基板上に光学バンF間隔<1eVを有する非晶質水素含有炭素(a-C:H)から成る層又はスパッタされた非晶質炭素(a-C)から成る層をボトムレジストとして施す(層厚≦500nm)。このボトムレジストに電子線に敏感なシリコン含有又はシリル化可能のフォトレジストをトップレジストとして備える(層厚≦50nm)。このトップレジストを走査型トンネル顕微鏡(STM)又は走査型力顕微鏡(SFM)により≦80eVのエネルギーの電子でパターン化し、このパターンを異方性酸素プラズマでのエッチングによりボトムレジストに及びその後のプラズマエッチングにより基板に転写する。

Claim (excerpt)：

200サブnm範囲のパターンをフォトリソグラフィにより形成する方法において、基板上に1eV以下の光学バンド間隔を有する非晶質水素含有炭素(a-C:H)から成る層又はスパッタリングによる非晶質炭素(a-C)から成る層を≦500nmの層厚のボトムレジストとして施し、このボトムレジストに電子線に敏感なシリコン含有又はシリル化可能のフォトレジストを層厚≦50nmのトップレジストとして備え、このトップレジストを走査型トンネル顕微鏡法又は走査型力顕微鏡法により≦80eVのエネルギーの電子でパターン化し、このパターンを異方性酸素プラズマでのエッチングによりボトムレジストに及びその後のブラズマエッチングにより基板に転写することを特徴とするフォトリソグラフィによるパターン形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/11 502 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/11 502 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 573